Разработан новый способ создания пленок сложных оксидов, принципиальное отличие которого от известных аналогов состоит в том, что рост монокристаллических пленок с атомарно-гладкой поверхностью происходит из наночастиц сложного оксида, образующихся в плазме высокочастотного разряда за счет нестандартной конструкции распылительного узла и режимов создания плазмы. Теоретический анализ показал, что для пленок толщиной меньше 35нм (при плотности винтовых дислокаций меньше 107см-2) роль механических деформаций в формировании сегнетоэлектрического состояния становится определяющей ввиду развития в системе пленка-подложка механической неустойчивости.