Среди потенциальных материалов для фотоники и спинтроники ZnO является многообещающим кандидатом, способным стать основой для многих инноваций следующих десятилетий. Сочетание его уникальных оптических, механических и пьезоэлектрических свойств определяет перспективность данного материала при разработке новых устройств наноэлектроники. Применяемый в различных приложениях, в частности в пьезоэлектрических датчиках, солнечных батареях и сенсорных элементах, этот широкозонный (Eg = 3.37 эВ) полупроводник рассматривается и в качестве материала для коротковолновых источников света как альтернатива таким широко используемым соединениям, как GaN и SiC.
В пленках ZnO была реализована лазерная генерация при комнатной температуре. Это стимулировало создание различных наноструктур, улучшающих эффективность лазерной генерации и открывающих новые возможности их применения в фотонике. В нормальных условиях макроскопический ZnOкристаллизуется только в структуре вюрцита, которая переходит в структуру поваренной соли при гидростатическом сжатии (∼ 8ГПа). При гетероэпитаксиальномросте на подложках с кубической структурой удается вырастить ZnO в структуре сфалерита, которая также может быть реализована и для ряда морфологийнаноструктур.
Импульсное лазерное напыление используется не только для создания нанопленок ZnO, но и для выращивания нанокристаллов из данного материала.
//M. Lorenz, E. M. Kaidashev, APPLIED PHYSICS LETTERS 86, 143113 (2005)
