Младший научный сотрудник Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН Дмитрий Владимирович Рыбковский проходит двухмесячную стажировку на кафедре нанотехнологии.

Теоретическое исследование электронных валентных зон и эффективных масс носителей заряда в двумерных нанообъектах слоистых полупроводников GaS, GaSe и InSe проводится под руководством д.ф.-м.н., профессора кафедры нанотехнологии Рошаля С.Б. Стажировка поддержана грантом РФФИ №14-32-50852.