Основные результаты
- На основе данных рентгеноструктурных исследований, микроскопии высокого разрешения, динамики переключения, генерации второй гармоники, исследования фазовых переходов доказано наличие сегнетоэлектрического состояния в наноразмерных объектах с характерным размером меньше 7 нм.
- В наноразмерных сегнетоэлектриках обнаружено аномально высокое значение диэлектрической проницаемости и поляризации и их слабая зависимость от температуры.
- Впервые установлено, что в пленках BST отсутствуют гистерезисные явления при времени переключения спонтанной поляризации меньше 1 нс.
- В гетероэпитаксиальных пленках с атомарногладким поверхностным рельефом оптические потери в волноводном режиме меньше 1 dB/cm.
- Обнаруженные свойства гетероструктур открывают возможность создания электронноуправляемых устройств микроэлектроники нового поколения.
Иллюстрация управления морфологией поверхности
Иллюстрация управления размерами доменов
Влияние толщины пленки: на параметр решетки, рамановской частоты ТО2 и диэлектрической проницаемости
Влияние толщины пленки и внешнего электрического поля на диэлектрическую проницаемость
Влияние толщины на доменное строение монокристаллических пленок BST
Влияние толщины пленки на доменное строение; 1 – 3.5 мкм, 2 – 1.1 мкм, 3 – 0.9 мкм, 4 – 0.7 мкм, 5 – 0.5 мкм, 6 – 0.3 мкм, 7 – 0.1 мкм, 8 – 0.06 мкм.
Иллюстрация смещения фазового перехода при изменении толщины сегнетоэлектрической пленки Ba0.8Sr0.2TiO3
