На сегодняшний день существует огромное количество различного вида светоизлучающих диодов, лазеров, получивших очень широкое применение в различных отраслях. Тем не менее, элементы, из которых изготавливаются эти структуры, могут быть заменены на другие, имеющие целый ряд преимуществ, например, на оксид цинка. Стремление к этому вызвано такими привлекательными свойствами этого материала, как оптическая прозрачность в широком диапазоне, высокая энергия связи экситона (~60 мэВ), стойкость к облучению, податливость к химическому травлению, биологическая совместимость и относительная дешевизна. Стоит отметить, что в целях повышения эффективности оптоэлектронных приборов, таких как светоизлучающие диоды и лазеры, требуется хорошо проводящий слой с проводимостью p-типа и достаточно высокой подвижностью. На основании вышеприведенных данных по электрическим свойствам пленок оксида цинка, допированных сурьмой, можно сделать вывод, что примеси сурьмы являются отличными кандидатами для изготовления таких устройств. В настоящее время в Лаборатории Наноматериалов ведутся работы по совершенствованию методик допирования тонких пленок оксида цинка сурьмой, а также по разработке светоизлучающих структур с использованием имеющихся методов синтеза.
Схематическое изображение ультрафиолетового светоизлучающего диода на основе оксида цинка
Помимо этого, ещё одним перспективным направлением является создание ультрафиолетовых нанолазеров с электрической накачкой и лазерных диодов с использованием нанокристаллов:
Схематическое изображение ультрафиолетового лазерного диода на основе оксида цинка